GJL-3030共晶爐
多年來(lái),二所立足自主裝備,與產(chǎn)業(yè)融合,形成了具有特色的高端智能制造和工藝技術(shù)系統集成的能力。
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分類(lèi):
- 產(chǎn)品描述
- 詳細參數
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真空 / 可控氣氛共晶爐可用于微電子封裝、混合微電子電路組裝、低空洞共晶管 芯貼片、陶瓷封裝封焊、金屬管殼真空封焊等領(lǐng)域。為微波器件封裝、LED 芯片焊接、 MEMS 器件封裝、LD 器件焊接、電力電子器件封裝、IGBT 芯片焊接等提供設備支持。 可應用于航空、航天及軍事工程等高可靠要求的混合集成電路、微波、光集成電路以 及 MEMS 器件的共晶焊接工藝
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最大工作溫度:450℃; 定值控溫精度:±1℃;
極限真空:5Pa; 推薦工作真空:10~15Pa;
觀(guān)察窗口直徑:80mm; 工藝氣體:氮氣(甲酸可選);
電氣:380V 三相; 真空泵:機械泵; 標配外設:水冷機 + 真空泵;
加熱方式:底部紅外輻射加熱 + 頂部紅外輻射加熱; 有效加熱面積:(300×240)mm2 ;
有效面積內熱均勻性:±2%℃; 最大加熱速率:120℃ /min;
冷卻速率:90℃ /min; 最大可放器件高度:標配 100mm(增加上加熱功能 75 mm)
外形尺寸 (L×W×H):960×890×1310(mm); 重量:約 300Kg;
功率:7.2kW(上加熱)9kW( 下加熱 ); 控溫方式:三路控溫;
最大支持六區域獨立 PID 控制。
中國電子科技集團公司第二研究所成立于1962年,是我國以智能制造、微電子裝備及應用、碳化硅裝備及應用、新能源裝備及應用等產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)的骨干單位。多年來(lái),二所立足自主裝備,與產(chǎn)業(yè)融合,形成了具有特色的高端智能制造和工藝技術(shù)系統集成的能力。
二所是科技部“國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新中心(山西)”、科技部“國家科技合作基地”、工信部“智能制造試點(diǎn)示范”、國防科工局“軍用微組裝技術(shù)創(chuàng )新中心”、山西省“寬禁帶半導體制備重點(diǎn)實(shí)驗室”、山西省“微組裝工程技術(shù)研究中心”、山西省“微電子智能制造裝備創(chuàng )新中心”等的主建和依托單位。近年來(lái),獲得國家、省部級獎項11項。
站在新的歷史起點(diǎn),二所將以人工智能和半導體技術(shù)為核心,強化以軍為本、以民為主的創(chuàng )新鏈和以裝備為本、以應用為主的產(chǎn)業(yè)鏈,實(shí)施智能制造、微電子、SiC和新能源產(chǎn)業(yè)躍升計劃,不斷提升核心競爭力和盈利能力,形成良好可持續的高質(zhì)量發(fā)展態(tài)勢。
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